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壓敏電壓和電阻器厚度的關系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當晶粒大小一定時，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯系，謝謝！

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壓敏電阻連續工作電壓壽命，即壓敏電阻在規定環境和系統電壓條件下應能可靠地工作規定的時間（h）。由于壓敏電阻總是承受著穩態工作電壓應力的作用，壓敏電阻的壽命是與漏電流密切相關的。在不發生機械或其他電氣性能失效的情況下，壓敏電阻的壽命主要由漏電流IR（密度JR）及其溫度、電壓和時間的上升情況所決定。隨著漏電流IR（密度JR）升高，發熱量增大，若這個能量不能散失，元件的溫度會很快上升，這種元件在維持一段初始穩定狀態后，終將達到熱失控（擊穿）的溫度而結束其使用壽命。

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壓敏電阻交流作用下的老化機理

交流作用下。在正半周時，假設右側為正極性，電壓主要加在右側的耗盡層上，使右側的Zni向晶界遷移，而左側所加電壓很低，Zn

i向晶粒內遷移不大；在負半周，電壓主要加在左側，使左側Zni向晶界遷移，右側這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內遷移不大。總的結果是左右兩側的Zni都向晶界遷移。

源林電子是一家專業研發、生產壓敏電阻的高科技電子元器件企業。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發團隊，廠家直銷！

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